Verfahren für DMOS-Transistor mit Grabenstruktur unter Verwendung von sechs Masken
摘要
申请公布号
DE69307216(D1)
申请公布日期
1997.02.20
申请号
DE19936007216
申请日期
1993.07.23
申请人
SILICONIX INC., SANTA CLARA, CALIF., US
发明人
KWAN, SZE-HON, SAN FRANCISCO, CA 94109, US;HSHIEH, FWU-IUAN, SAN JOSE CA 95129, US;CHANG, MIKE F., CUPERTINO, CA 95014, US;HO, YUEH-SE, SUNNYVALE, CA 94086, US;OWYANG, KING, ATHERTON, CA 94026, US
