发明名称 磁记录介质
摘要 本发明涉及磁记录介质,其中在由芳香族聚酰胺制成的基底薄膜的至少一面上设置磁性层,其特征在于该基底薄膜至少一个方向上的拉伸杨氏模量为700kg/mm<SUP>2</SUP>以上,二氯甲烷提取物含量在0.5%以下,该基底薄膜纵长方向上每1mm<SUP>2</SUP>施加1kg负荷时,在100℃下,10分钟内尺寸变化率在2%以下,提供了一种在恶劣的环境下运行性、耐用性优异的磁记录介质。
申请公布号 CN1143239A 申请公布日期 1997.02.19
申请号 CN95118445.8 申请日期 1995.09.14
申请人 东丽株式会社 发明人 伊藤伸明;佃明光;米山和祐
分类号 G11B5/704 主分类号 G11B5/704
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杨丽琴
主权项 1.磁记录介质,其中在由芳香族聚酰胺制成基底薄膜的至少一面上设置磁性层,其特征在于该基底薄膜的至少一个方向上的拉伸杨氏模量为700kg/mm2以上,二氯甲烷提取物含量为0.5%以下,在该基底薄膜纵长方向上每1mm2施加1kg负荷时,在100℃下10分钟内的尺寸变化率为2%以下。
地址 日本东京