| 发明名称 | 具有正电阻温度系数的半导体陶瓷合成物及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有正电阻温度系数的半导体陶瓷合成物及其制造方法。该半导体陶瓷合成物包括含硅氧化物和锰的钛酸钡半导体陶瓷合成物，该半导体陶瓷合成物还包括以该钛酸钡半导体陶瓷合成物的量为基准含量为0.0005-0.02wt％的钠。 | ||
| 申请公布号 | CN1143255A | 申请公布日期 | 1997.02.19 |
| 申请号 | CN96105586.3 | 申请日期 | 1996.02.14 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 林康二 |
| 分类号 | H01C7/02;C04B35/468 | 主分类号 | H01C7/02 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 罗才希 |
| 主权项 | 1.一种具有正电阻温度系数的半导体陶瓷合成物，包括含硅氧化物和锰的钛酸钡半导体陶瓷合成物，所说半导体陶瓷合成物还包括以所说钛酸钡半导体陶瓷合成物的量为基准含量为0.0005-0.02wt％的钠。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||