高速高压双极晶体管

摘要

一种高速高压双极晶体管，是具有新型横向结构的栅辅助晶体管(GAT)。在芯片平面上看，其基区的电极引出区是与栅区有重叠或部分重叠的许多孤立区域，这些孤立区域分布成列，每列中的各个引出区又相互隔开；同时，发射区包围在各个基区电极引出区的周围，呈网状分布。该结构减少了原有GAT基区电极引出区的面积，增大了发射区有效面积和周长，从而显著地提高了GAT单位面积平均电流容量，降低了GAT管芯的制造成本，可使GAT实现产品化和商品化。

主权项

1.一种高速高压栅辅助晶体管，包含发射区(6)、基区(1)、栅区(2)和集电区(5)，栅区由基区延伸入集电区中并具有与基区相同的半导体型号，其特征在于：在芯片平面上，基区电极引出区(10)是与栅区( 5，17)有重叠的许多孤立区域，这些孤立区域分布成列，每列中的各个引出区又相互隔开；同时，发射区(11)包围在各个基区电极引出区的周围，呈网状分布，且其内边界(16)与基区电极引出区之间具有间隔。