ESTRUCTURA DE TRANSISTOR PARA USO EN DISPOSITIVOS DE MEMORIA DE SEMICONDUCTOR BORRABLES Y PROGRAMABLES.

摘要

UNA ESTRUCTURA DE TRANSISTOR INCLUYENDO UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR INCLUYENDO UNA REGION FUENTE, UN CANAL Y UNA REGION DE DRENAJE. UNA PUERTA MOVIL DE POLISILICONA (16) SE EXTIENDE SOBRE UNA PORCION DEL CANAL CON UNA FINA CAPA DE OXIDO (15) ENTRE LO MISMO, DICHA ABERTURA (16) TENIENDO UNA EXTENSION (18), LA CUAL ESTA AISLADA DEL SUSTRATO SEMICONDUCTOR (11). UNA PUERTA DE CONTROL (17) SE EXTIENDE SOBRE UNA PORCION DE LA PUERTA MOVIL (16) DESDE POR ENCIMA DE LA REGION FUENTE HASTA POR ENCIMA DE LA REGION DE DRENAJE A TRAVES DE UNA CAPA DIELECTRICA DE OXIDO. UNA PUERTA DE PROGRAMA (19) SE EXTIENDE POR ENCIMA DE DICHA EXTENSION DE PUERTA MOVIL (18) A TRAVES DE UNA CAPA DIELECTRICA DE OXIDO, COMO PARA FORMAR UN CAPACITADOR CON DICHA EXTENSION DE PUERTA MOVIL, DICHA PUERTA DE PROGRAMA (19) Y LA PUERTA DE CONTROL (17) TENIENDO BORDES LATERALES ENFRENTADOS UNOS A OTROS DE FORMA ESPACIADA.