发明名称 | 薄膜磁头 | ||
摘要 | 一种薄膜磁头,能够在记录和再现时改变其间的磁隙长度,在高矫顽力的介质上进行记录时产生足够的磁场强度,使得能够提高行记录密度,所述薄膜磁头包含一开路的磁路,其具有的磁隙用非磁性薄膜填满,所述磁路通过一包括下磁极和上磁极的磁芯,包含的电导体线圈,其以所述导线在所述上磁极和所述下磁极之间通过的方式绕在所述磁路上,其中至少其中一个磁极包括多层结构,其由高磁导率磁膜、高饱和磁通密度磁膜和低饱和磁通密度磁膜依次构成。 | ||
申请公布号 | CN1142652A | 申请公布日期 | 1997.02.12 |
申请号 | CN95116899.1 | 申请日期 | 1995.09.12 |
申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 大津孝佳;栉田伸昌;齐藤治信;香川昌庆;斋藤真 |
分类号 | G11B5/31 | 主分类号 | G11B5/31 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 冯赓宣 |
主权项 | 1.一种薄膜磁头,包含:一开路的磁路,其具有的磁隙用非磁性薄膜填满,该磁隙位于磁路的一侧,面向记录介质,所述磁路经过一包括下磁极和上磁极的磁芯;以及一电导体线圈,其以所述导体在所述上磁极和所述下磁极之间通过的方式绕在所述磁路上,其特征在于,至少其中一个磁极包含多层结构,其由高磁导率磁膜、高饱和磁通密度磁膜和低饱和磁通密度磁膜依次构成,配置方式为使所述低饱和磁通密度磁膜位于邻近磁隙的多层结构的一侧面上。 | ||
地址 | 日本东京 |