制造金属氧化物场效应晶体管的方法

摘要

一种制造金属氧化物硅场效应晶体管的方法，其中的多晶硅层被淀积在起着使MOSFET的栅同MOSFET的基片绝缘作用的栅氧化膜上。当利用金属膜或金属硅化物侧壁作掩模形成栅电极时，多晶硅层起着防止栅氧化膜被腐蚀的作用，所以，当形成栅电极时，可以防止MOSFET的半导体基片和栅电极之间出现短路。

主权项

1.一种制造金属氧化物硅场效应晶体管的方法，包括以下各步骤：在一块半导体基片上依次层叠栅氧化膜、第一多晶硅层、绝缘膜、第二多晶硅层，部分腐蚀第二多晶硅层，而形成第二多晶硅层图形；在利用第二多晶硅层图形作掩模，在部分腐蚀第一多晶硅层之后所得结构上形成绝缘膜图形；在绝缘膜图形形成之后所得结构上淀积电极金属膜；各向异性腐蚀金属膜，因而在第二多晶硅层图形两侧壁上分别形成金属膜侧壁；以及利用第二多晶硅层图形和金属膜侧壁作掩模腐蚀第一多晶硅层而形成栅。