| 发明名称 |
METHOD OF FORMING A FLUORINATED SILICON OXIDE LAYER USING PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0757884(A1) |
申请公布日期 |
1997.02.12 |
| 申请号 |
EP19960906308 |
申请日期 |
1996.02.05 |
| 申请人 |
WATKINS-JOHNSON COMPANY |
发明人 |
QIAN, LINGQIAN;SCHMIDT, MELVIN C.;NOBINGER, GLENN L. |
| 分类号 |
H05H1/46;C23C8/28;C23C8/36;C23C16/40;C23C16/50;H01L21/31;H01L21/316;H01L21/768;H01L23/522;(IPC1-7):H05H1/20;H05H1/02;H05H1/24;C23C8/00;C23C14/00;B05D3/00 |
主分类号 |
H05H1/46 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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