| 摘要 |
Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Halbleiter-Speichervorrichtung mit einer auf einem Halbleitersubstrat (1) der Halbleiter-Speichervorrichtung ausgebildeten Redundanz-Schaltungsanordnung (2) für den Ersatz einer defekten Speicherzelle (5) der integrierten Halbleiter-Speichervorrichtung durch Auswahl einer ebenfalls auf dem Halbleitersubstrat (1) angeordneten Redundanzspeicherzelle (6), wobei die Speicherzellen (5) der integrierten Halbleiter-Speichervorrichtung blockweise ausgebildet und adressierbar sind. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß die Redundanzspeicherzellen (6) zu einem einheitlich von der Redundanz-Schaltungsanordnung (2) adressierbaren Redundanzspeicherzellenfeld (7) zusammengefaßt angeordnet sind, und die Redundanz-Schaltungsanordnung (2) eine Redundanzselektionsschaltung (13, 14, 15, 20) für die Auswahl einer Redundanzspeicherzelle (6) aus dem einheitlichen Redundanzspeicherzellenfeld (7) für den Ersatz einer defekten Speicherzelle (5) aus einem beliebigen Speicherzellenblock (4) aufweist. Hierbei ist insbesondere vorgesehen, daß die Redundanzselektionsschaltung (13, 14, 15, 20) an einer bestimmten Stelle der integrierten Halbleiter-Speichervorrichtung und räumlich getrennt von jedem einzelnen Speicherzellenblock (4) bzw. jeder normalen Speicherzelle (5) angeordnet ist. <IMAGE>
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