Halbleiteranordnungen mit einer Silizium/Silizium-Germanium-Heterostruktur und Verfahren zu deren Herstellung,申请号DE19916021442T-传众专利搜索

发明名称	Halbleiteranordnungen mit einer Silizium/Silizium-Germanium-Heterostruktur und Verfahren zu deren Herstellung
摘要
申请公布号	DE69121442(T2)	申请公布日期	1997.02.06
申请号	DE19916021442T	申请日期	1991.03.27
申请人	KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP	发明人	NAKAGAWA, AKIO, C/O INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION, MINATO-KU, TOKYO 105, JP
分类号	H01L29/73;H01L21/265;H01L21/331;H01L21/336;H01L21/338;H01L29/165;H01L29/732;H01L29/737;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812;(IPC1-7):H01L29/772;H01L29/161	主分类号	H01L29/73
代理机构		代理人
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