首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 SOI-Layout für ein Gate mit niedrigem Widerstand
摘要
申请公布号 DE69122149(T2) 申请公布日期 1997.02.06
申请号 DE19916022149T 申请日期 1991.02.08
申请人 TEXAS INSTRUMENTS INC., DALLAS, TEX., US 发明人 HOUSTON, THEODORE W., RICHARDSON, TEXAS 75080, US;BLAKE, TERENCE G. W., DALLAS, TEXAS 75243, US
分类号 H01L21/3205;H01L21/8234;H01L23/52;H01L27/08;H01L27/088;H01L27/12;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L27/12 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com