Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleitervorrichtung beinhaltend die Ausbildung einer ersten Kontaktelektrode, welche gekapselt und mit Distanzstück versehen ist und einer zweiten Kontaktelektrode, die automatisch zur ersten justiert ist,申请号DE1991620981T-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleitervorrichtung beinhaltend die Ausbildung einer ersten Kontaktelektrode, welche gekapselt und mit Distanzstück versehen ist und einer zweiten Kontaktelektrode, die automatisch zur ersten justiert ist
摘要
申请公布号	DE69120981(T2)	申请公布日期	1997.02.06
申请号	DE1991620981T	申请日期	1991.02.06
申请人	PHILIPS ELECTRONICS N.V., EINDHOVEN, NL	发明人	SELLE, DANIEL, F-75008 PARIS, FR;CARISETTI, DOMINIQUE, F-75008 PARIS, FR
分类号	H01L21/28;H01L21/027;H01L21/331;H01L29/205;H01L29/73;H01L29/737;(IPC1-7):H01L21/28	主分类号	H01L21/28
代理机构		代理人
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