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发明名称
POWER MOSFET TRANSISTOR CIRCUIT
摘要
申请公布号
EP0457886(B1)
申请公布日期
1997.02.05
申请号
EP19910901146
申请日期
1990.11.20
申请人
HARRIS SEMICONDUCTOR PATENTS, INC.
发明人
WODARCZYK, PAUL JOSEPH;WHEATLEY, CARL FRANK, JR.;NEILSON, JOHN MANNING SAVIDGE;JONES, FREDERICH PETER
分类号
H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/02;H01L27/04;H01L27/088;H03K17/08;(IPC1-7):H01L29/10;H01L29/68
主分类号
H01L29/78
代理机构
代理人
主权项
地址
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