发明名称 动态存储器
摘要 在DRAM中采用共有读出放大器结构和读出放大器高速缓冲方式,借以实现小面积化,从而提高高速缓冲存储器的找到命中率,缩短芯片内的数据总线、使数据传送高速化。其特征是备有:存储器芯片;数据线13,用来传输保持在子阵列相应的读出放大器中的数据;以及I/O缓冲器16,通过对应的数据线与对应的子阵列之间进行数据的输入与输出。
申请公布号 CN1142115A 申请公布日期 1997.02.05
申请号 CN95116551.8 申请日期 1995.09.21
申请人 株式会社东芝 发明人 高濑觉;樱井清史;荻原正毅
分类号 G11C11/34 主分类号 G11C11/34
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 范本国
主权项 1.一种动态存储器,其特征在于备有:多个子阵列(11),其中含有分别按行列方式配置成的动态存储器单元阵列,且有连接在同一行存储单元上的多条字线及连接在同一列存储单元上的多条位线;多个读出放大器(12),将其设置在上述各子阵列中,用来放大从所选定的行中的存储器读出的电位,控制上述各子阵列,分别使其同步运作,控制子阵列,使其在访问待机状态下仍能原样不动地保持读出数据,并将其作为高速缓冲存储器使用;存储块(10),其中含有上述多个子阵列及多个读出放大器,其结构为:将一个子阵列和一个读出放大器沿存储器芯片的第1边交替重复配置,使读出放大器位于该重复方向的两端,从而使夹在两个子阵列中间的读出放大器能供上述两个子阵列分时使用,并沿垂直于上述第1边方向的存储器芯片的第2边分割成多个部分,通过上述多个部分的分割分割成多个存储体,构成运作受控的多个共有读出放大器;多条数据线(13),分别与上述各子阵列相对应,是在平行于上述子阵列和读出放大器的存储器芯片的第2边上形成的,用来传输在相应子阵列中的上述保持数据的多个读出放大器中的被选定的列中的数据;以及多个数据输入/输出缓冲器(16),它们对应于上述各存储体中的子阵列、配置在平行于存储器芯片的第1边上,用来通过对应的数据线,在对应的子阵列之间进行数据的输入和与输出。
地址 日本神奈川