| 发明名称 |
METODO PARA FORMAR UN CONTACTO METALICO PARA UN DISPOSITIVOSEMICONDUCTOR. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
ES346421(A1) |
申请公布日期 |
1968.12.16 |
| 申请号 |
ES19210003464 |
申请日期 |
1967.10.25 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/331;H01L23/485;H01L29/00;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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