| 发明名称 |
Edge termination method and structure for power MOSFET |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP0722189(A3) |
申请公布日期 |
1997.02.05 |
| 申请号 |
EP19950120355 |
申请日期 |
1995.12.21 |
| 申请人 |
SILICONIX INCORPORATED |
发明人 |
YILMAZ, HAMZA;HSHIEH, FWU-IUAN |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/336;H01L27/08;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/06 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
