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EL PROCESO SE CARACTERIZA POR DISPONER DE UNA CORRIENTE DE UN GAS PORTADOR OXIGENADO (AIRE) QUE CONTIENE A) UN PRECURSOR TERMODESCOMPONIBLE DE OXIDO DE ESTANO SELECCIONADO DE TRICLORUROS ESTANNOSOS DE MONOALQUILO, TRIBROMUROS ESTANNOSOS DE MONOALQUILO, ENTRE OTROS; Y B) UN PRECURSOR TERMODESCOMPONIBLE DE OXIDO DE SILICIO DE FORMULA RnSiX(4-n), DONDE R ES UN GRUPO ALQUIL, ALQUENIL, ALQUINIL O ALCOXI DE C1 A C5, O UN GRUPO FENIL, X ES UN ATOMO DE HALOGENO O UN GRUPO HIDROXI, Y n=0 A 4; EN UNA RELACION MOLAR (A)/(B) DE 0,6 A 3,0 PREFERIBLEMENTE 2,0, DICHOS PRECURSORES ESTAN PRESENTES EN FORMA EVAPORADA Y CONTENIENDO VAPOR DE AGUA DE 1 MOL A 100 MOLES DE GAS PORTADOR, DONDE EL GAS PORTADOR CONTIENE DE 0,5x10-4 A 2x10-2 MOLES DE OXIDO DE ESTANO POR 1 MOL DE GAS PORTADOR A UNA TEMPERATURA ENTRE 100�C Y 210�C, SIENDO SUMINISTRADO A CHORRO UNIFORMEMENTE SOBRE LA SUPERFICIE A SER RECUBIERTA A UNA VELOCIDAD DE 1 m/s A 10 m/s Y A TEMPERATURAS SUPERIORES A 550�C (SUPERIOR A LA TEMPERATURA DE DESCOMPOSICION DE DICHOS PRECURSORES) PARA DEPOSITAR UN RECUBRIMIENTO DE PROTECCION DE OXIDO DE ESTANO Y OXIDO DE SILICIO CON UN ESPESOR DE ENTRE 240 � Y 1500 �; EL PROCESO DE DEPOSICION SE LLEVA A CABO POR DEPOSICION QUIMICA EN VAPOR A PRESION ATMOSFERICA |
