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<P>Composant limiteur de courant constitué par une barre de silicium (12) dopée en quatre couches (5, 6, 7, 8).<BR/>Les caractéristiques de dopage et les caractéristiques dimensionnelles de ce composant sont ajustées pour obtenir une caractéristique I(V) qui présente une partie (C1) en forme de caractéristique de diode en direct, suivie d'une partie (C2) constituant un palier de limitation de courant.</P>
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