Verfahren zur Vermeidung der Bildung von Niederschlägen nach dem Beenden eines Plasma-Trockenätzens und Verfahren zum Plasma-Trockenätzen von Halbleiter-Substrat-Scheiben
摘要
申请公布号
DE4123711(C2)
申请公布日期
1997.01.30
申请号
DE19914123711
申请日期
1991.07.17
申请人
MICRON TECHNOLOGY, INC., BOISE, ID., US
发明人
CATHEY JUN., DAVID A., BOISE, ID., US;FRANKAMP, HARLAN, BOISE, ID., US
