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经营范围
发明名称
Verfahren zur Feststellung der elektrischen Eigenschaften eines Silizium-Monokristalles
摘要
申请公布号
DE69120032(T2)
申请公布日期
1997.01.30
申请号
DE1991620032T
申请日期
1991.11.19
申请人
SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD., TOKIO/TOKYO, JP
发明人
FUSEGAWA, IZUMI, ANNAKA-SHI, GUNMA-KEN, JP;YAMAGISHI, HIROTOSHI, ANNAKA-SHI, GUNMA-KEN, JP;FUJIMAKI, NOBUYOSHI, ANNAKA-SHI, GUNMAN-KEN, JP;KARASAWA, YUKIO, TAKASAKI-SHI, GUNMA-KEN, JP
分类号
H01L21/66;G01N27/92;G01R31/26;G01R31/28;(IPC1-7):G01N27/92;C30B33/00;C30B33/08
主分类号
H01L21/66
代理机构
代理人
主权项
地址
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