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<p>Bei der Herstellung einer Dual-Workfunction-CMOS-Schaltung wird zur Bildung der Gateebene eine Polysiliziumschicht erzeugt, deren mittlerer Korndurchmesser größer als die minimale Ausdehnung in der Gateebene ist, um die laterale Dotierstoffdiffusion zu unterdrücken. Insbesondere wird in der Gateebene eine Engstelle erzeugt, deren Weite kleiner als der mittlere Korndurchmesser ist.</p> |
