Verfahren zur Herstellung komplementärer MOS-Transistoren,申请号DE19951027157-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung komplementärer MOS-Transistoren
摘要
申请公布号	DE19527157(A1)	申请公布日期	1997.01.30
申请号	DE19951027157	申请日期	1995.07.25
申请人	SIEMENS AG, 80333 MUENCHEN, DE	发明人	KERBER, MARTIN, DR.RER.NAT., 81827 MUENCHEN, DE
分类号	H01L29/78;H01L21/336;H01L21/74;H01L21/8238;H01L27/092;(IPC1-7):H01L21/823	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
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