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发明名称 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstrukturen mit vorteilhaften Hochfrequenzeigenschaften sowie eine Halbleiterwaferstruktur
摘要
申请公布号 DE4433330(C2) 申请公布日期 1997.01.30
申请号 DE19944433330 申请日期 1994.09.19
申请人 FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V., 80636 MUENCHEN, DE 发明人 PLETTNER, ANDREAS, 82340 FELDAFING, DE;HABERGER, KARL, 82152 PLANEGG, DE
分类号 H01L21/20;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/316;H01P3/08;H05K9/00;H01L23/552;H01L21/768;H01L21/98;H01L23/522;H01L21/74;H01L21/302;H01L23/66;H01L21/320;H01L21/86 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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