| 发明名称 |
NITRIDE SEMICONDUCTOR ETCHING METHOD |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0927477(A) |
申请公布日期 |
1997.01.28 |
| 申请号 |
JP19950175694 |
申请日期 |
1995.07.12 |
| 申请人 |
NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> |
发明人 |
MAKIMOTO TOSHIKI;KOBAYASHI NAOKI |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/3065;H01S5/00;(IPC1-7):H01L21/306;H01S3/18 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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