发明名称 | 制作半导体器件中圆筒形叠层电容器的方法 | ||
摘要 | 在一种制作半导体器件中的电容器的方法中,在半导体衬底上制作了一个隔离膜,并穿过此隔离膜制作了一个窗口。然后制作一个导电膜以覆盖窗口的侧壁表面和隔离膜的上表面,并对整个表面进行机械研磨以便选择性地清除隔离膜上表面上的导电膜,使导电膜只保留在窗口的内部。将留下的隔离膜清除掉,使圆筒形电极由留下的高度和被清除隔离膜的厚度相同的直立的导电膜组成。 | ||
申请公布号 | CN1140897A | 申请公布日期 | 1997.01.22 |
申请号 | CN95120141.7 | 申请日期 | 1995.11.29 |
申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 坂尾真人 |
分类号 | H01L21/302 | 主分类号 | H01L21/302 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
主权项 | 1.一种制作半导体器件中电容器的方法,包含下列步骤: 在半导体衬底上制作一个隔离膜; 制作一个穿过所述隔离膜的窗口; 制作一个导电膜以至少覆盖窗口的侧壁表面和底部以及隔 膜离的上表面; 研磨整个表面以选择性地清除隔离膜上表面上的导电膜, 从而只保留窗口内部的导电膜; 清除隔离膜以便由直立的留下的导电膜形成圆筒形电极; 形成一个覆盖圆筒形电极暴露表面的隔离层,所述暴露的 表面包括内壁表面和外壁表面;以及 形成一个覆盖所述隔离层的对电极,致使电容器由圆筒形 电极、隔离层和对电极组成的叠层结构组成。 | ||
地址 | 日本东京 |