| 主权项 |
1. 一种选择性化学气相钨塞沈积之前置处理方法,该方法系于一矽基板上进行选择性化学气相钨沉积以于该矽基板上之数个管洞(via hole)内形成钨塞(W-plug)之前置处理方法,该复数个管洞底部具有铝;该方法包括: 调制一含硫酸根之羟胺(hydroxylamine sulfate)溶液; 使该具管洞之基板浸泡于该溶液内一段时间,并以振荡器振荡该溶液,浸泡时间以不使该管洞底部之铝被过度蚀刻为限; 取出该矽基板,以进行选择性化学气相钨塞沈积。2. 如申请专利范围第1项之选择性化学气相钨塞沈积之前置处理方法,于步骤(1),(2)之间更包括一步骤:加热该溶液至60℃左右。3. 如申请专利范围第2项之选择性化学气相钨塞沈积之前置处理方法,于步骤(3)之后更包括下列步骤:以去离子水冲洗该矽基板;以氮气吹乾该矽基板。4. 如申请专利范围第3项之选择性化学气相钨塞沈积之前置处理方法,步骤(2)之浸泡时间为60-90秒。5. 如申请专利范围第4项之选择性化学气相钨塞沈积之前置处理方法,该含硫酸根之羟胺溶液系将(NH@ss2OH)@ss2H@ss2SO@ss2溶解于去离子水中而成。6. 如申请专利范围第5项之选择性化学气相钨塞沈积之前置处理方法,该溶液之浓度为0.1M。图示简单说明:第一图:系未作任何前处理的基板上所得次微米沟槽之选择性化学气相钨沉积结果。第二图:系经50W/60sec的BC1@ss3电浆蚀刻后之基板上所得之选择性化学气相钨沉积情形。第三图(a):系经本案前置处理法处理后,于基板上的沟槽所作选择性化学气相钨沉积之结果。第三图(b):系系经本案前置处理法处理后,于基板上得管洞所作选择性化学气相钨沉积之结果。第三图(c):系经本案前置处理法处理后所得管洞填充之SEM截面图(即钨塞之SEM截面图)。第四图:系以本案方法所用之还原剂浸泡处理过之基板,再经过50W/60sec的BC1@ss3电浆蚀刻后所得之选择性化学 |
