| 主权项 |
1. 一种半导体发光元件,其特征为;备有形成于半导体基板(1)上,由单层或多层所成之第1贴合层(14),与形成于上述第1贴合层表面之第2贴合层(5),与形成于上述第2贴合层表面之活性层(6),与形成于上述活性层表面之第3贴合层(7),与从形成于上述第3贴合层表面之单层或多层所成之第4贴合层(8),上述第2贴合层之铝混晶比系较上述活性层之铝混晶比更大,而较上述第1贴合层之铝混晶比更小,并且,上述第3贴合层之铝混晶比,系较上述活性层之铝混晶比更大,上述第4贴合层之铝混晶比更小。2. 根据申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中,上述第1贴合层,第2贴合层之层厚合计,及上述第3贴合层,第4贴合层之层厚合计系0.6(程度。3. 根据申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中,上述第1贴合层系 上述第2贴合层系,上述第3贴合层系 ,上述第4贴合层系。4. 根据申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中,上述第1贴合层系 ,上述第2贴合层系,上述第3贴合层系 ,上述第4贴合层系。5. 一种半导体发光元件,其特征为;备有形成于半导体基板(1)上之单层或多层所成之第1贴合层(15),与形成于上述第1贴合层表面之活性层,与形成于上述活性层表面之第2贴合层(7),与形成于上述第2贴合层表面之单层或多层所成之第3贴合层,上述第1贴合层之铝混晶比系,较上述活性层之铝混晶比更大,并且上述第2贴合层之铝混晶比系较上述活性层之铝混晶比更大,上述第3贴合层之铝混晶比更小。6.根据申请专利范围第5项之半导体发光元件,其中,上述第1贴合层系 ,上述第2贴合层系,上述第3贴合层系 。7. 根据申请专利范围第5项之半导体发光元件,其中,上述第1贴合层系 ,上述第2贴合层系,上述第3贴合层系 。8. 一种半导体发光元件,其特征为;备有形成于半导体基板(1)上之单层或多层所成之第1贴合层,与形成于上述第1贴合层表面之第2贴合层(5),与形成于上述第2之贴合层表面之活性层(6),与上述第2贴合层之铝混晶比,系较上述活性层之铝混晶比更大,较上述第1贴合层之铝混晶比更小,并且,上述第3贴合层之铝混晶比系,较上述活性层之铝混晶比更大。9. 根据申请专利范围第8项之半导体发光元件,其中,上述第1贴合层系n-In@ss0@ss.@ss5Al@ss0@ss.@ss5P,上述第2贴合层系n-In@ss0@ss.@ss5(Ga@ss0@ss.@ss3Al@ss0@ss.@ss7),上述第3贴合层系p-In@ss0@ss.@ss5Al@ss0@ss.@ss5P。10. 根据申请专利范围第8项之半导体发光元件,其中,上述第1贴合层系n-Al@ss0@ss.@ss2 Ga@ss0@ss.@ss8 ,上述第2贴合层系n-Al@ss0@ss.@ss0@ss5Ga@ss0@ss.@ss9@ss5N,上述第3贴合层系p-Al@ss0@ss.@ss3Ga@ss0@ss.@ss8N。11. 一种半导体发光元件,其特征为;备有形成于半导体基板(41)上之单层或多层所成之第1贴合层(44),与形成于上述第1贴合层表面之InGaAlP混晶所成之第1中间层(45),与形成于上述第1中间层表面之活性层(46),与形成于上述活性层表面之InGaAlP混晶所成之第2中间层(47),与形成于上述第2中间层表面之单层或多层所成之第2贴合层(48),上述活性层之铝混晶比X与上述第1,第2中间层之铝混晶比Y系,设定为X+0.1≦X≦0.5,并且,上述第1,第2中间层之厚度系0.01(-0.1(。12. 根据申请专利范围第11项之半导体发光元件,其中,上述中间层系被单层或多层化。13. 根据申请专利范围第11项之半导体发光元件,其中,上述活性层之铝混晶比X系包含X=0。14. 根据申请专利范围第11项之半导体发光元件,其中,上述贴合层之铝混晶比Z系包含Z=1。图示简单说明:图1系表示有关申请专利范围第1-3项发明一实施例之半导体发光元件构造之剖面图。图2系表示有关申请专利范围5项发明一实施例之半导体发光元件构造之剖面图。图3系表示有关申请专利范围8项发明一实施例之半导体发光元件构造之剖面图。图4系表示有关申请专利范围4项发明一实施例之半导体发光元件构造之剖面图。图5系表示有关申请专利范围第11-14项发明一实施例之半导体发光元件构造之剖面图。图6系表示图5所示之一制程之制程剖面图。图7系表示图5所示实施例之元件与图11所示习知元件之光输出之比较图。图8系表示图5所示元件之通电寿命特性图。图9系表示习知半导体发光元件构造之剖面图。图10系表示图9所示元件之贴合层之铝混晶比与初期亮度及初期亮度残留率之关系图。图11系表示习知半导体发光元件之其他构造之剖面图。 |
