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发明名称 FUNDAMENTAL CELL STRUCTURE OF BIPOLAR CMOS TYPE GATE ARRAY SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 JPH0922953(A) 申请公布日期 1997.01.21
申请号 JP19950168593 申请日期 1995.07.04
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP 发明人 MARUYAMA KATSUYUKI
分类号 H01L21/8249;H01L21/82;H01L21/8222;H01L21/8248;H01L27/06;H01L27/118;(IPC1-7):H01L21/824;H01L21/822 主分类号 H01L21/8249
代理机构 代理人
主权项
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