| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen eines chemischen Vernickelungsbades für die Fertigung von Kontaktflächen an Oberflächenbereichen von Halbleiterkörpern |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
CH475365(A) |
申请公布日期 |
1969.07.15 |
| 申请号 |
CH19650007215 |
申请日期 |
1965.05.24 |
| 申请人 |
SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
LOB,UDO,DIPL.-ING. |
| 分类号 |
C23C18/36;H01L21/288;(IPC1-7):C23C3/02 |
主分类号 |
C23C18/36 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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