| 主权项 |
1. 一种半导体记忆装置之位准换流器,包括:一位准转换单元,包含一对第一导电系数电晶体,其源极相连,且经其闸极分别接收感测到之第一与第二感测电压,一对第二导电系数电晶体,其源极接地,而汲极分别连接至每一第一导电系数电晶体之汲极,且经其闸极共同接收一控制时脉,以及一第一与一第二输出节点,其于该第一及第二导电系数电晶体之每一汲极连接点处,于一预定之第一段时间内提供对应于该第一与第二感测电压之经位准转换之第一与第二输出电压;一阻断装置,包含一该第一导电系数型之第一电晶体,其于该预定之第一段时间内因应该控制时脉而提供一供应电压至该对第一导电系数电晶体之源极,以及一该第一导电系数型之第二电晶体,其于一预定之第二段时间内因应该控制时脉而提供该供应电压;以及一闩锁装置,于该预定之第二段时间内因应该第一导电系数型之第二电晶体所提供之供应电压,升高流经该第一与第二输出节点间之该第一与第二输出电压之差値,使其基本上等于该供应电压之位准,以减少因该供应电压之通过所造成之电流消耗,并达到高运作速度。2. 如申请专利范围第1项之位准换流器,其中该闩锁装置包括复数个第一导电系数电晶体,经其源极共同接收该第一导电系数第二电晶体之输出电压,以及第二导电系数电晶体,其汲极分别连接至每一该等第一导电系数电晶体之汲极,且源极接地,该等第一导电系数电晶体其中之一之闸极与该等第二导电系数电晶体其中之一之闸极共同连接至该第二输出节点,且该等第一导电系数电晶体中之另一之闸极与该等第二导电系数电晶体中之另一之闸极共同连接至该第一输出节点。3. 如申请专利范围第1项之位准换流器,其中该阻断装置更包括一延迟单元,延迟该控制时脉以藉此将其供给至该第一导电系数型第二电晶体之闸极,以使该第一导电系数型第二电晶体于该预定之第二段时间内运作。4.如申请专利范围第1项之位准换流器,其中该对第一导电系数电晶体系P型MOS电晶体。5. 如申请专利范围第1项之位准换流器,其中该对第二导电系数电晶体系N型MOS电晶体。6. 一种半导体记忆装置之位准换流器,包括:一位准转换单元,包含一对第一导电系数电晶体,其源极相连,且经其闸极分别接收感测到之第一与第二感测电压,一对第二导电系数电晶体,其源极接地,而汲极分别连接至每一第一导电系数电晶体之汲极,且经其闸极接收提供之控制时脉,以及一第一与一第二输出节点,其于一预定之第一段时间内,于该对第一导电系数电晶体及该对第二导电系数电晶体之每一汲极连接点处,提供对应于该第一与第二感测电压之经位准转换之第一与第二输出电压至一资料输出缓冲器;一取样装置,包含一该第一导电系数型之第一电晶体,其于该预定之第一段时间内因应该控制时脉而提供一供应电压至该对第一导电系数电晶体之源极,以及一该第一导电系数型之第二电晶体,其于一预定之第二段时间内因应该控制时脉而提供该供应电压;以及一静态提升装置,于该预定之第二段时间内因应该第一导电系数型之第二电晶体所提供之供应电压,升高流经该第一与第二输出节点间之该第一与第二输出电压之电压差値,以减少因该供应电压之通过所造成之电流消耗,并达到高运作速度。图示简单说明:第1A与1B图系举例说明一半导体记忆装置之传统位准换流器之电路图;第1C图显示该传统位准换流器之特性图;第2A图系举例说明根据本发明原理所架构之动态位准换流器;及 |
