| 主权项 |
1. 一种制造包括第一区域、第二区域及位于各区域中之复数个吸收聚合粒之吸收结构之方法,该方法包括下列步骤:使交联剂与颗粒反应而形成交联键,该交联键包括使颗粒相互结合而形成凝集巨结构之颗粒间交联键及/或在颗粒表面上之物质分子之间之表面交联键;其中交联剂与颗粒反应之方式为使得第一区域中颗粒之交联度不同于第二区域中颗粒之交联度。2. 根据申请专利范围第1项之方法,其中各区域包括不小于10mm@su3之体积。3. 根据申请专利范围第1项之方法,其中之一区域中之吸收聚合粒实质上无颗粒间交联键。4. 根据申请专利范围第1项之方法,其中之一区域中之吸收聚合粒实质上无表面交联键。5. 根据申请专利范围第1项之方法,其中之一区域实质上无吸收聚合粒。6. 根据申请专利范围第1项之方法,其中涂布至第一区域之交联剂量不同于涂布至第二区域之交联剂量。7. 根据申请专利范围第6项之方法,其中涂布至第一区域之每克吸收聚合粒之交联剂量为涂布至第二区域之每克吸收聚合粒之交联剂量之至少两倍。8. 根据申请专利范围第1项之方法,其中第一区域中聚合粒之聚合物质之化学组成不同于第二区域中聚合物质之化学组成。9. 根据申请专利范围第1项之方法,其中第一区域之颗粒形状、平均粒径或粒径分布或其任何组合不同于第二区域之颗粒。10.根据申请专利范围第1项之方法,其中涂布至第一区域之交联剂化学组成不同于涂布至第二区域之交联剂之化学组成。11. 根据申请专利范围第1项之方法,其中各区域中采用之交联剂与颗粒之反应条件系使得第一区域中交联键形成速率不同于第二区域中交联键形成速率。12.根据申请专利范围第1项之方法,其中交联剂系在反应期间与聚合粒反应,其中第一区域之反应期间不同于第二区域之反应期间。13. 根据申请专利范围第11项之方法,其中第一及第二区域系以来自固化单元之电磁放射、电子或热方式照射。14. 根据申请专利范围第13项之方法,其中第一区域中每单位面积沉积之能量不同于第二区域中每单位面积沉积之能量。15. 根据申请专利范围第11项之方法,其中包括对电磁放射、电子或加热方式具有改变不透明度之遮蔽区域之网罩系置于吸收聚合粒与固化单元之间。16. 根据申请专利范围第15项之方法,其中网罩系藉固化单元投射至吸收聚合粒上。17. 根据申请专利范围第15项之方法,其中网罩系置于与吸收聚合粒接触。18. 根据申请专利范围第1项之方法,该方法包括将聚合粒沉积在第一区域及第二区域之步骤,其中沉积在第一区域之聚合粒重量不同于沉积在第二区域之聚合粒重量。19. 根据申请专利范围第18项之方法,其中第一区域中聚合吸收物质为第二区域中聚合吸收物质密度之0.5至2倍。20. 根据申请专利范围第18项之方法,其中凝集之巨结构系藉聚合粒之颗粒间交联所形成者,其特征为第一区域中凝集巨结构之测径大于第二区域中凝集巨结构之测径。21. 根据申请专利范围第1项之方法,该方法包括先将吸收颗粒置于第一及第二区域中且随后自至少一个区域移走数个颗粒,使得第一区域中颗粒数不同于第二区域中颗粒数之步骤。22. 一种包括第一区域、第二区域及位于各区域之复数个吸收聚合粒之吸收结构,其中该聚合粒与交联剂反应,且包括交联键,该交联键包括使颗粒相互结合而形成凝集巨结构之颗粒间交联键及/或在聚合粒表面上物质分子间之表面交联键;其中第一区域之交联度不同于第二区域之交联度。23. 根据申请专利范围第22项之吸收结构,其中形成水凝胶之颗粒系连接至基材,且其中对至少部份结构而言,颗粒之间之颗粒间交联度足够低至未形成大于10mm@su3外接乾燥体积之颗粒间交联巨结构。24. 根据申请专利范围第22项之吸收结构,其中基材与形成水凝胶之聚合粒系藉可使颗粒分子交联之交联剂连接。25. 根据申请专利范围第22项之吸收结构,其中形成水凝胶之聚合粒系粘着地附接至基材者。图示简单说明:图1示已知之颗粒间交联凝集物之剖视图;图2及3示本发明之颗粒间交联凝集物之剖视图;图4为本发明之制造吸收结构之生产线概要图;图4a示图4之放大细节;图5a-5c示其中吸收颗粒已自低交联度区域移除之吸收结构之照片;图6a-6c示包括有高度交联之吸收颗粒区域及具有相当低交联度之吸收颗粒之区域之吸收结构照片;图7-11示制造本发明吸收结构之不同方法;图12a-12b示图形化压缩辊之侧正视图;图13-15示制造本发明吸收物件之方法之又一具体例;图16-20示本发明吸收结构之剖视图;图21-26示本发明吸收结构之平面图; |
