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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines integrierten Halbleiterschaltkreises mit Isolationsgräben
摘要
申请公布号 DE68927487(D1) 申请公布日期 1997.01.09
申请号 DE19896027487 申请日期 1989.05.16
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 HIRAKAWA, KENJI INTELLECTUAL PROPERTY DIVISIO, MINATO-KU TOKYO 105, JP
分类号 H01L29/73;H01L21/02;H01L21/331;H01L21/76;H01L21/763;H01L21/8222;H01L27/06;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/76 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
主权项
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