PROCEDE PERFECTIONNE DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES

摘要

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit intégré possédant une couche enterrée d'un certain type de conductivité faiblement dopée (2) et une couche enterrée du même type de conductivité fortement dopée (3), où on masque un substrat (1) de façon à définir des zones ouvertes sur le substrat là où on souhaite produire les deux couches enterrées et où l'on dope les zones ouvertes du substrat à l'aide d'une faible concentration d'agents de dopage afin de former la couche enterrée faiblement dopée (2). Ensuite, on masque la zone ouverte dans laquelle la couche enterrée faiblement dopée (2) est formée, et on dope l'autre zone ouverte à l'aide d'une forte concentration d'agents de dopage afin de former la couche enterrée fortement dopée (3).