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发明名称 Halbleiteranordnung mit einem isolierenden Graben und Verfahren zu deren Herstellung
摘要
申请公布号 DE69119828(T2) 申请公布日期 1997.01.02
申请号 DE19916019828T 申请日期 1991.06.12
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 TOKUNOH, FUTOSHI, C/O MITSUBISHI DENKI K.K., NISHI-KU, FUKUOKA-SHI, FUKUOKA, JP
分类号 H01L29/744;H01L21/332;H01L21/76;H01L21/764;H01L29/06;H01L29/74;(IPC1-7):H01L29/74 主分类号 H01L29/744
代理机构 代理人
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