发明名称 铱/钯氧化物镀层之钛电极制法
摘要 本案系关于一种铱∕钯氧化物镀层之钛电极制法﹐其步骤包括﹕准备一钛金属基材﹔取一铱∕钯氧化物﹔应用该铱∕钯氧化物为材料﹐使之附着于该钛金属基材表面﹔以及经适度热处理后﹐即可得一覆盖铱∕钯氧化物镀层之钛电极。经由本发明之适度前处理﹐活化﹐循环电位析镀及适度热处理后﹐吾人可获致附着性良好且于酸性溶液中具有极佳之电化学稳定性及优良电化学催化作用之镀层电极。
申请公布号 TW294728 申请公布日期 1997.01.01
申请号 TW083102905 申请日期 1994.04.02
申请人 行政院国家科学委员会 台北巿和平东路二段一○六号十八楼 发明人 李汝桐;李渊博;林光隆
分类号 C23C24/08 主分类号 C23C24/08
代理机构 代理人 蔡清福 台北巿忠孝东路一段一七六号九楼
主权项 1. 一种铱/钯氧化物镀层之钛电极制法,其步骤包括:(a) 准备一钛金属基材;(b) 使用氢氟酸溶液浸渍钛金属,以破坏钛金属表面立即生成之附着性极强之氧化物钝化膜;其中,该氢氟酸溶液是由氢氟酸:硝酸=1:3至1:4浓度比所配成;(c) 使用去离子蒸馏纯水清洗残留之化学溶液;(d) 取一铱/钯氧化物;(e) 应用该铱/钯氧化物为材料,并利用循环电位析镀法,使之附着于该钛金属基材表面;以及(f) 经适度热处理后,即可得一覆盖铱/钯氧化物镀层之钛电极;其中,该热处理之适度控制升温速度于3℃/min至6℃/min范围内,自室温升至400-600℃后,维持于所欲温度50分钟至三小时,随即于炉中自然冷却至室温。2. 如申请专利范围第1项所述之铱/钯氧化物镀层之钛电极制法,其中该钛金属基材之大小为20202mm。3. 如申请专利范围第1项所述之铱/钯氧化物镀层之钛电极制法,其中该钛金属基材需焊上钛导线。4. 如申请专利范围第1项所述之铱/钯氧化物镀层之钛电极制法,其中该钛金属基材于使用前需先清除其上之氧化物杂质,该清除步骤包括:(g) 先以砂纸研磨除去大量氧化物杂质;(h) 继之于适当有机溶剂中,藉超音波洗净可能附着之有机物;以及(i) 随后以离子蒸馏纯水清洗之。5. 如申请专利范围第4项所述之铱/钯氧化物镀层之钛电极制法,其中该砂纸可为80-1000号砂纸。6. 如申请专利范围第4项所述之铱/钯氧化物镀层之钛电极制法,其中该有机溶剂可为丙酮。7. 如申请专利范围第1项所述之铱/钯氧化物镀层之钛电极制法,其中于该步骤(b)之后,更依序分别以氢氟酸(40-60g/l)及重铬酸(250-300g/l)之混合溶液,以及氢氟酸及醋酸混合溶液短时间浸渍,此处理可使钛金属表面于开始析镀前具有活性。8. 如申请专利范围第1项所述之铱/钯氧化物镀层之钛电极制法,其中该步骤(e)中系可包括下列步骤:(e1) 调配铱/钯氧化物成析镀溶液;(e2) 将该钛金属基材置入该铱/钯氧化物析镀溶液中;以及(e3) 利用循环电位析镀法,在该钛金属基材表面镀上铱/钯氧化物层。9. 如申请专利范围第8项所述之铱/钯氧化物镀层之钛电极制法,其中该铱/钯氧化物析镀溶液以K@ss2IrCl@ss6及PdCl@ss2为主要成份,其浓度为0.05-0.2mM之K@ss2IrCl@ss6,0.1-0.4mM之PdCl@ss2,0.2M之K@ss2SO@ss4及0.1M之HCl。10. 如申请专利范围第8项所述之铱/钯氧化物镀层之钛电极制法,其中该循环电位析镀法是由恒电位仪控制扫描电位范围于950至-400mV,控制电位扫描速度于40-60mV/sec,及析镀温度控制在室温至80℃。11. 如申请专利范围第8项所述之铱/钯氧化物镀层之钛电极制法,其中该循环电位析镀法,其析度时间最长达四小时。12. 如申请专利范围第1项所述之铱/钯氧化物镀层之钛电极制法,其中该热处理是于大气中在一般热处理炉中进行。图示简单说明:第一图:系本发明实施例一之析镀镀层生成反应所对应之循环电位I-E(电流—电压)图;第二图:系本发明实施例二所得之镀层表面图;第三图:系本发明所得之镀层经X-光绕射之分析图;第四图:系本发明所得之电极,于硫酸溶液中,进行极化测试之实施例结果图;第五图:系本发明所得之电极,于硫酸溶液中,进行稳定
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