发明名称 基板乾燥装置及基板乾燥方法
摘要 本发明有关于半导体晶片等之被处理体之洗净后之乾燥装置及方法。本发明系提供具备﹕备有收容被处理体之被处理体收容领域﹐及收容挥发性之处理液之处理液收容领域﹐以及使处理液气化之加热手段之处理槽﹔及配设于被处理体收容领域之下方﹐以接受使用被气化之处理液而由被处理体所去除之水份之容器﹔及装设于容器﹐以便将容器之水份排出于槽之外部之排液管﹔以及配设于处理槽之被处理体收容领域之上方﹐以资凝固被气化之处理液之冷却手段﹐及配设于上述处理槽﹐以资将上述处理液循环之处理液循环手段﹐上述排液管系备有开闭阀﹐且在较上述开闭阀更近于上述容器之位置备有由排液管所分岐之管﹐上述处理液循环手段系具有处理液循环净化手段之基板乾燥装置。
申请公布号 TW294823 申请公布日期 1997.01.01
申请号 TW083110221 申请日期 1994.11.04
申请人 东京电子九州股份有限公司;东京电子股份有限公司 发明人 尾胜利;田中裕司;南辉臣;横沟贤治
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼;林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1. 一种基板乾燥装置,具备有:收容被处理体之被处理体收容领域及收容挥发性之处理液收容领域,以及令上述处理液气化用之加热手段之处理槽;及配设于上述被处理体收容领域之下方,承接利用上述气化之上述处理液,由从上述被处理体所去除之水份之容器;及安装于上述容器,而将上述容器之水份排出于上述处理槽之外部之排液管;以及配设于上述处理槽之上述被处理体收容领域之上方,以便凝结上述被气化之处理液之冷却手段,上述排液管系具备有开闭阀,且在比上述开闭阀更靠近于上述容器之位置,具有从上述排液管分岐之管者。2. 如申请专利范围第1项所述之基板乾燥装置,其中,位于上述处理槽外部之排液管系备有闸部者。3.如申请专利范围第2项所述之基板乾燥装置,其中,由上述排液管所分岐之管之先端位置系高于上述闸部之最高部。4. 如申请专利范围第1项所述之基板乾燥装置,其中,又具备连接于上述排液管,用于测定流动于上述排液管中之排液之传导率之传导率计者。5. 如申请专利范围第4项所述之基板乾燥装置,其中,又具备连接于上述传导率计及上述开闭阀,依据所测定传导率之情报,控制上述开闭阀之开闭之控制手段者。6. 如申请专利范围第5项所述之基板乾燥装置,其中上述控制手段系连接于,将上述被处理体搬入于上述被处理体收容领域之移送手段者。7. 如申请专利范围第1项所述之基板乾燥装置,其中上述冷却手段系备有,沿着上述处理槽之内壁而螺旋状的配置之管内流通冷媒之构成者。8. 如申请专利范围第1项所述之基板乾燥装置,其中,上述承接藉上述冷却手段所凝结,以液滴态地落下之处理液之处理液回收手段系,设于上述冷却手段之下方。9. 如申请专利范围第8项所述之基板乾燥装置,其中上述处理液回收手段系,沿着上述处理槽内壁而设之沟板体。10. 如申请专利范围第9项所述之基板乾燥装置,其中,更具备,连接于上述沟板体,而将存储于上述沟板体之处理液回流至上述处理液收容领域之回收管者。11.如申请专利范围第10项所述之基板乾燥装置,其中在上述回收管设有过滤手段者。12. 如申请专利范围第8项所述之基板乾燥装置,其中上述处理液回收手段系,沿着上述处理槽之内壁而具有间隙状的设置之沟板体者。13. 如申请专利范围第12项所述之基板乾燥装置,其中,上述沟板体系组合多数之板状体所构成。14. 如申请专利范围第1项所述之基板乾燥装置,其中,更具备有,遮蔽板,该遮蔽板系安装在上述被处理体收容领域之对面于搬入上述被处理体之移送手段之处理槽之面,且具有容许上述移送手段之昇降可能之切缺凹部,以及隔板,该隔板系安装在该安装上述遮蔽板之处理槽之面之相反侧之面。15. 一种基板乾燥装置,具备有:收容被处理体之被处理体收容领域及收容挥发性之处理液收容领域,以及令上述使处理液气化用之加热手段之处理槽;及配设于上述被处理体收容领域之下方,承接利用上述气化之上述处理液,由从上述被处理体所去除之水份之容器;及安装于上述容器,而将上述容器之水份排出于上述处理槽之外部之排液管;以及配设于上述处理槽之上述被处理体收容领域之上方,以便凝结上述被气化之处理液之冷却手段,配设于上述处理槽,而令上述处理液循环之处理液循环手段;而上述处理液循环手段系具备处理液净化手段者。16. 如申请专利范围第15项所述之基板乾燥装置,其中,上述处理液循环手段系由:令处理液循环之液循环管,及介设于上述液循环管而由上述处理液收容领域吸取上述处理液之泵,以及以规定之定时驱动泵之控制部所构成。17. 如申请专利范围第16项所述之基板乾燥装置,其中,上述液循环管连接有补给处理液之液补给管。18.如申请专利范围第16项所述之基板乾燥装置,其中,再具备,收容上述泵,处理净化手段以及控制部之壳体。19. 如申请专利范围第15项所述之基板乾燥装置,其中,位于上述处理槽外部之排液管系备有闸部者。20.如申请专利范围第19项所述之基板乾燥装置,其中,由上述排液管所分岐之管之先端位置系高于上述闸部之最高部。21. 如申请专利范围第15项所述之基板乾燥装置,其中,又具备连接于上述排液管,用于测定流动于上述排液管中之排液之传导率之传导率计者。22. 如申请专利范围第21项所述之基板乾燥装置,其中,又具备连接于上述传导率计及上述开闭阀,依据所测定传导率之情报,控制上述开闭阀之开闭之控制手段者。23. 如申请专利范围第22项所述之基板乾燥装置,其中上述控制手段系连接于,将上述被处理体搬入于上述被处理体收容领域之移送手段者。24. 如申请专利范围第15项所述之基板乾燥装置,其中上述冷却手段系备有,沿着上述处理槽之内壁而螺旋状的配置之管内流通冷媒之构成者。25. 如申请专利范围第15项所述之基板乾燥装置,其中,更具备有,遮蔽板,该遮蔽板系安装在上述被处理体收容领域之对面于搬入上述被处理体之移送手段之处理槽之面,且具有容许上述移送手段之昇降可能之切缺凹部,以及隔板,该隔板系安装在该安装上述遮蔽板之处理槽之面之相反侧之面。26. 一种基板乾燥方法,具备:令收容于处理槽之处理液收容领域之挥发性处理蒸发,产生处理液蒸气之过程;及将上述处理液蒸气接触于收容在上述处理槽之被处理体收容领域之被处理体,以除去除附着于上述被处理体之水份之过程;以及冷却上述处理液蒸气使之凝结成处理液以资归还于上述处理液收容领域之过程。27. 如申请专利范围第26项所述之基板乾燥方法,其中以规定的定时来实施上述水份之排出于上述处理槽外部之操作之开始及停止者。28. 如申请专利范围第26项所述之基板乾燥方法,其中又,具备将上述处理液蒸气冷却凝结之处理液予以净化之过程者。29. 如申请专利范围第26项所述之基板乾燥方法,其中,又,具备将收容于上述处理液收容领域之处理液予以循环之过程者。30. 如申请专利范围第29项所述之基板乾燥方法,其中,又,具备将循环中之处理液之净化过程者。图示简单说明:第1图及第2图系本发明之例一之基板乾燥装置之一实施例之概略图。第3图系,第1图之基板乾燥装置中,对于水份去除位置之承盘之领域图。第4图系,第1图之基板乾燥装置中,说明处理时间中之作用之图。第5图系,第1图之基板乾燥装置中,说明待命时间中之作用图。第6图系,例一之基板乾燥装置中,以沟板之折返部来承接由冷却螺旋管之处理液之样子之图。第7图系,例一之基板乾燥装置中,表示分割式之板沟构造之平面图。第8图系表示在冷却手段上适用第7图上所示之分割式板沟构造时之构成例。第9图系表示第8图所示之分割式板沟构造之作用图。第10图及第11图系例一之基板乾燥装置之其他实施例概略图。第12图系使用本发明之基板乾燥装置之晶片洗净系统之一例概略图。第13-15图系表示本发明之例二之基板乾燥装置概略图。第16,第17图及第22图系使用本发明之基板乾燥装置之洗净系统之说明图。第18图系表示在第16图所示之洗净系统之药液处理槽附近之斜视图。第19图系表示在第16图所示之洗净系统之排泄盘斜视图。第20图系表示在第16图所示之洗净系统之气流状态图。第21图系表示第16图所示之洗净系统之排气板之正面图。第23图及第24图系第22图所示之洗净系统之移送机构及洗净机构关系之平面图。第25图系第24图所示之第1晶片移送机构斜视图。第26图系表示第22图所示之洗净系统之晶片夹具与洗净装置本体关系之斜视图。第27图系表示有关于例四之洗净系统之晶片夹具,卡匣及移送用工模之关系之斜视图。第28图系表示有关于例四之洗净系统之其他移送用工模之
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