| 主权项 |
1. 一种高速热处理装置,其特征为,具有,拥有外壁及内壁,而至少有一开口,可装入复数片基板之纵型处理管;及配置于上述纵型处理管周围之断热材;及在上述断热材及上述纵型处理管间所设之单位面积(cm@su2)之容许电力为10W/cm@su2以上,而对上述处理管加热之电阻发热体;及经由上述开口,将承载体上的被数片之基板搬入/搬出于纵型处理管内之昇降机构;及在上述纵型处理管之外壁及内壁之相互间所形成有间隙,将气体供给至此间隙之气体供给手段。2. 如申请专利范围第1项所述之装置,其中,供给之气体,系使用可与金属离子反应之卤系气体,氧气,空气。3. 如申请专利范围第1项所述之装置,其中,供给之气体,系使用氮气体,氩气体之非反应性气体。4. 如申请专利范围第1项所述之装置,其中,供给之气体,系至少发热电阻体之温度在予先所决定之温度以上时,将气体供给者。5. 如申请专利范围第1项所述之装置,其中,上述承载体更具有,与基板周缘部相接触,而将基板加以支持之环状盘;及在上述环状盘之基板支持部处,沿着此基板之周缘部设有与基板上面相等或比此上面为高之侧壁。图示简单说明:图1系表示说明习知之温度控制方法之温度图。图2系表示本发明之第1实施例之高速热处理炉之断面方块图。图3系说明实施例之温度控制方法之温度图。图4系表示本发明之第2实施例之高速热处理炉之剖面方块图。图5系表示在急速加热时加热器之温度T@ssH,处理室之内部温度T@ss1及晶圆温度T@ssw之实测结果之图。图6系表示急速加热时加热器之温度T@ssH,处理室之内部温度T@ss1及晶圆之温度T@ssw之实测结果之图。图7系表示本发明之第3实施例之高速热处理炉之剖面图。图8系表示第3实施例之高速热处理炉之处理管之剖面图。图9系表示将外部切开之加热单元之斜视图。图10系表示加热单元之装置部之部份剖面图。图11系表示载置于环盘上之晶圆之部份剖面图。图12系表示说明环盘上的晶圆被射入辐射热之部份断面图。图13系表示环盘上之晶圆及非环盘上之晶圆的温度分布之温度特性图。图14A系表示本发明之实施例之热处理装置之纵剖面图。图14B系表示热处理装置内部之长方向的温度分布之特性图。图15系表示扩大热处理装置之下部之部份剖面图。图16系表示本发明之实施例之热处理装置之剖面图。图17系表示本发明之实施例之热处理装置剖面方块图。图18系表示扩大热处理装置的下部之部份剖面图。图19系表示本发明之实施例之热处理装置部份剖面图。图20系表示热处理装置之冷却系统之冷却电路图。 |
