| 主权项 |
1. 一种去除于基质上电路形成之绝缘膜的蚀刻材料,其包括:一种至少含有分别为0.49至2.0重量%和2.0至1.9重量%之氢氟酸和氟化铵。2. 如申请专利范围第1项之材料,其中该水溶液包含体积比例为n:n:100之氢氟酸,氟化铵和纯水,其中n为0.5至5。3. 如申请专利范围第1项之材料,其中该水溶液含有界面活性剂。4. 一种蚀刻方法,其包括下列步骤:于一种含有铝之材料表面形成氧化铝层;制备一种蚀刻材料,其包括一种至少分别含有0.49至2.0重量%和0.19至2.0重量%之氢氟酸和氟化铵之水溶液;以及使用该蚀刻材料蚀刻该氧化铝层。5. 如申请专利范围第4项之方法,其中该水溶液含有体积比例为n:n:100之氢氟酸,氟化铵以及纯水,其中n为0.5至5。6. 如申请专利范围第4项之方法,其中该水溶液含有界面活性剂。7. 一种去除基质上电路上形成之绝缘膜的蚀刻材料,其包括:一种含有重量比例为X:Y:(100-X-Y)之氢氟酸,氟化铵和水之水溶液,其中X和Y符合Y<-2X+10(0<X≦5,0<Y≦10)之关系式。8. 如申请专利范围第7项之方法,其中该水溶液含有界面活性剂。9. 一种蚀刻方法,其包括下列步骤,于含有氧化铝基质上形成一种含铝材料;于该含铝材料表面形成一氧化铝层;制备一种蚀刻材料,其包括一种至少分别含0.49至2.0重量%和0.19至2.0重量%之氢氟酸和氟化铵之水溶液;以及使用该蚀刻材料蚀刻该氧化铝。10. 如申请专利范围第9之方法,其中该水溶液含有界面活性剂。图示简单说明:图1A至1D显示惯用实例中使用铝之电路情况;图2A至2D显示本发明更具体化实例之闸门电路制程;图3A至3D显示如一种具体化实例中闸门用之接触孔制程;图4显示氧化铝蚀刻情况下氢氟酸和氟化铵之间混合比例之依存关系;图5A至5G显示于具有大量氧化铝之低硷玻璃基质上形成TFT之方法;图6A至6G显示一种具体化实例之制程;图7显示使用一种整体活性基质电路之液晶显示器;图8A至8E显示一种具体化实例之制程;图9A至9B显示整体型活性基质电路之示意图和电镀法;图10A至10F显示一种具体化实例之制程;图11A至11E显示一种具体化实例之制程;以及图12显示使蚀刻情况较佳蚀刻剂组份范围,其中,于含有 |
