制造垂直双极型晶体管的方法

摘要

重复制造垂直双极型晶体管薄基区的方法：注入N-型杂质到第一埋层上周围部分和激活注入的N-型杂质，生长外延层并外扩散激活杂质，形成第一埋层，第二埋层隔离晶体管各元件。第一埋层和第二埋层限定外延层的一部分，形成作为收集区的有源区。有源区中第一埋层上，形成亚收集区，有源区的第一上部分形成基区，叠层亚收集区。注入N-型杂质和在氮气中退火注入的N-型杂质，可重复地形成薄基区宽度的基区，形成的第二埋层，保证隔离晶体管的各元件。

主权项

1、一种制造垂直双极型晶体管的方法，其包括下列步骤：(i)把第二导电类型的第一种杂质注入到第一导电类型半导体衬底表面的一部分中，退火注入的第二导电类型的第一种杂质，以便形成第一埋层；(ii)把第二导电类型的第二种杂质注入到所述第一埋层上面周围部分，激活注入的第二导电类型的第二种杂质；(iii)通过在具有所述第一埋层的所述半导体衬底上及埋层表面上，生长第一导电类型的外延层，限定有源区，外扩散所述第一埋层上面周围部分的已激活的第二种杂质，形成第二导电类型的第二埋层，所述第二埋层含有比所述第一埋层较高的杂质浓度，所述第一埋层和所述第二埋层限定所述外延层的一部分作为有源区；(iv)通过注入第二导电类型的第三种杂质到所述有源区的第一上部和退火注入的第三种杂质，形成第二导电类型的基区；(v)通过在所述有源区上部，形成发射区，基极接触区和收集极接触区，制成垂直双极型晶体管。