| 摘要 |
<P>La présente invention concerne un assemblage monolithique d'une diode rapide verticale et d'au moins un autre composant vertical, dans lequel la diode rapide est constituée d'un substrat (1) de type N dans l'une des faces duquel est formée une région continue (5, 14) de type N**+ et dans l'autre face duquel est formée une région discontinue (6, 15) de type P**+, la face arrière de l'assemblage étant revêtue d'une métallisation unique (C). L'autre composant vertical est par exemple une diode.</P> |
