SURFACE EMITTING LASER DIODE

摘要

Laserdiode in III-V-Halbleitermaterial mit einer streifenförmigen aktiven Zone (2), die in Längsrichtung in eine Mantelschicht (5) eingebettet ist und senkrecht zu einer Kristallebene des Halbleitermateriales mit Miller-Indizes (001) ausgerichtet ist, bei der durch eine Kristallebene mit Miller-Indizes (101) eine Spiegelfläche gegeben ist, die das emittierte Licht senkrecht zur Schichtebene durch das Substrat reflektiert.