| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造具有电容器的高集成的半导体器件方法，该电容器具有由高介电常数薄膜构成的介质膜，该方法包括：在高温下在已形成有氧化膜的晶片上形成下电极，及在真空下将所得晶片退火，以使下电极具有致密而平滑，可使后续的工艺步骤容易实施。还可实现这种半导体器件的高集成化以及改善半导体器件的可靠性和均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN1138744A | 申请公布日期 | 1996.12.25 |
| 申请号 | CN96104508.6 | 申请日期 | 1996.04.08 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 李元在;李承锡;金昊起;金钟哲 |
| 分类号 | H01L21/283;H01L21/768;C23C14/22 | 主分类号 | H01L21/283 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余朦 |
| 主权项 | 1.一种制造高集存成度半导体器件的方法，包括以下各步骤：使内部放置一其表面形成有氧化硅膜的晶片的反应室保持在高真空状态；加热该晶片至提高的温度；通过等离子淀积方法，在反应室内的晶片上形成一导电层作为半导体器件的下电极；以及 | ||
| 地址 | 韩国汉城 | ||