制造掩模只读存储器的方法

摘要

本发明的掩模ROM是按下列工艺制造的：形成其中所有单元都作为导通单元被驱动的单元阵列；通过腐蚀特定单元漏区内半导体基片的某些部分，根据用户的要求，形成凹槽；然后实施源/漏离子注入工艺。

主权项

1.制造掩模ROM的方法，包括以下各步骤：使控制阈值电压的离子注入到已形成场氧化膜的半导体基片中，然后形成栅氧化膜；在栅氧化膜上形成多个栅电极，在其上具有抗蚀膜，因而形成所有单元将被作为导通单元被驱动的单元阵列；腐蚀掉从导通单元当中的特定导通单元的栅电极延伸的半导体基片的某些部分，形成凹槽，因而形成其中的特定导通单元作为截止单元被驱动的单元阵列，以及；在已通过源/漏离子注入工艺形成源线和漏区的整个基片上形成绝缘膜，然后通过接触工艺形成与所说的漏区连接的位线。