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<P>L'invention concerne un amplificateur de ligne pour mémoire statique RAM.<BR/>L'amplificateur comprend une première et une deuxième tranche (l1 , l2 ) formée par les transistors (TP1 , TN1 , TN2 ) et (TP2 , TN3 , TN2 ) connectés en série entre la tension d'alimentation (Vdd) et de référence (Vss). Une réaction positive est réalisée par liaison directe (IN3 , et IN4 ), et un transistor de commutation d'évaluation (TP3 ) permet d'égaliser les valeurs des tensions sur les noeuds internes (IN3 , IN4 ) à l'équilibre. Sur commande de lecture (CL), le transistor (TN2 ) permet d'amplifier la différence préliminaire entre niveaux de tension due à une transition du signal bit (D) et bit complémenté (D|-) appliqué sur les noeuds internes (IN1 , IN2 ). Un transistor de précharge (TN4 ) est commun aux branches (l1 ) et (l2 ) et permet d'augmenter la vitesse de commutation.<BR/>Application à la réalisation de mémoires statiques RAM sous forme de circuits intégrés en technologie CMOS.</P>
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