| 主权项 |
1.一种在聚合反应条件下于具有聚合反应区带之 搅拌床或 气体流体化聚合反应容器中制造聚丁二烯或聚异 戊二烯之 方法,此方法包括: ()于选自包括碳黑、矽石、滑石、黏土及其混 合物之惰 性微粒子物质及选用之至少一种惰性气体存在下, 将丁二 烯或异戊二烯单体引进该含有成长中聚合体粒子 床之聚合 反应区带中; ()于该聚合反应区带中,连续地或间歇地引进一 种含有 稀土金属成份之聚合触媒、一种助触媒及选用之 一种促进 剂,其中该稀土金属成份系为一种化合物,选自包 括铈、 镧、镨、钆、钕及其混合物,且其中该助触媒系选 自包括 三乙基铝、三异丁基铝、三己基铝、甲基铝氧烷 、经改质 之甲基铝氧烷、三甲基铝、氢化二烷基铝、氢化 二烷基铝 与三烷基铝之混合物、及其混合物;及选用之一种 具有下 式之促进剂: 其中X为C1或Br,R为H、烷基、芳基、烷芳基、氯或 溴烷 基、烷氧基或环氧基;R'为烷基、芳基、H、C1或Br;R " 为烷基、芳基、氯或溴烷基、氯或溴芳基、乙烯 基、C1或 Br;或R'+R"为氧或饱和或不饱和之环烷基; ()自该聚合反应区带,连续地或间歇地取出聚丁 二烯或 聚异戊二烯产物;及 ()自该聚合反应区带,取出未反应之丁二烯或异 戊二烯 ,压缩及冷却该丁二烯或异戊二烯及当存在时之惰 性气体 ,同时保持该聚合反应区带内之温度低于存在于该 聚合反 应区带中之单体之露点。2.根据申请专利范围第1 项之方法,其中在该聚合反应区 带内之温度,系保持低于存在于该聚合反应区带中 之单体 之凝结温度。3.根据申请专利范围第1项之方法,其 中在该聚合反应区 带内之条件,系致使基本上无液体存在于该聚合反 应区带 内,意即未被吸附于固体微粒子物质上或未被吸收 在其中 。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中在该聚合 反应区 带内之条件,系致使至少一部份单体为未被吸收在 固体微 粒子物质中之液体。5.根据申请专利范围第1项之 方法,其中该惰性微粒子物 质系为碳黑、矽石或其混合物。6.根据申请专利 范围第1项之方法,其中该稀土金属触媒 系为一种含有钕之化合物。7.根据申请专利范围 第6项之方法,其中该稀土金属触媒 为钕羧酸盐、钕醇钃、钕卤化物或乙醯基丙酮酸 钕。8.根据申请专利范围第6项之方法,其中该含有 钕之化合 物系选自包括新癸酸钕、辛酸钕、凡尔赛酸钕及 其混合物 。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中该方法系 于一种 用于控制该反应器中静电含量之药剂或装置存在 下进行。10.根据申请专利范围第1项之方法,其中 在该反应器中之 静电压系保持基本上中性。11.根据申请专利范围 第1项之方法,其中该惰性气体系为 氮气。12.根据申请专利范围第1项之方法,其中丁 二烯或异戊二 烯系被连续地引进。13.根据申请专利范围第1项之 方法,其中该惰性微粒子物 质系为碳黑或矽石,且该触媒系为 (A)一种藉由下述方式所形成之反应混合物,(i)将一 种钕 化合物,选自包括钕羧酸盐、钕醇钃及乙醯基丙酮 酸钕, 与二氯化单-乙基铝、氯化二乙基铝或氯化单-与 二-乙基 铝之混合物接触,(ii)于溶剂存在下,将该混合物沈 积在 矽石担体上,而形成浆液,及(iii)移除该溶剂;及 (B)一种助触媒,选自包括(i)氢化二烷基铝、(ii)三 烷基 铝、(iii)氢化二烷基铝与三烷基铝之混合物、(iv) 甲基 铝氧烷、(v)经改质之甲基铝氧烷、(vi)及其混合物 。14.根据申请专利范围第13项之方法,其中该反应 混合物 系经由钕羧酸盐与氯化二乙基铝反应所形成;且该 助触媒 系为氢化二异丁基铝或氢化二异丁基铝与三异丁 基铝。15.根据申请专利范围第1项之方法,其中该 惰性微粒子物 质系为碳黑或矽石,且该触媒系为 (A)一种藉由下述方式所形成之反应混合物,(i)于溶 剂存 在下,使用二氯化单-乙基铝、氯化二-乙基铝或氯 化单- 与二-乙基铝之混合物,处理矽石担体,以形成浆液, (ii )添加一种钕化合物,选自包括钕羧酸盐、钕醇钃 及乙醯 基丙酮酸钕,及(iii)移除该溶剂;及 (B)一种助触媒,选自包括(i)氢化二烷基铝、(ii)三 烷基 铝、(iii)氢化二烷基铝与三烷基铝之混合物、(iv) 甲基 铝氧烷、(v)经改质之甲基铝氧烷及(vi)其混合物。 16.根据申请专利范围第15项之方法,其中该反应混 合物 系使用钕羧酸盐与氯化二乙基铝所形成;及该助触 媒系为 氢化二异丁基铝或氢化二异丁基铝与三异丁基铝 。17.根据申请专利范围第1项之方法,其中该惰性 微粒子物 质系为碳黑或矽石,且该触媒系为 (A)一种藉由下述方式所形成之反应混合物,(i)将钕 羧酸 盐或钕醇钃溶解在溶剂中,(ii)添加矽石,(iii)移除(i ) 之溶剂以获得乾燥固体,(iv)将该乾燥固体添加至 含有氯 化烷基铝与溶剂之溶液中,及(v)移除(iv)之溶剂,(i) 与 (iv)之溶剂可为相同或不同;及 (B) 一种助触媒,选自包括(i)氢化二烷基铝、(ii)三 烷 基铝、(iii)氢化二烷基铝与三烷基铝之混合物、( iv)甲 基铝氧烷、(v)经改质之甲基铝氧烷及(vi)其混合物 。18.根据申请专利范围第17项之方法,其中该反应 混合物 系经由将钕羧酸盐与氯化二乙基铝接触所形成;且 该助触 媒系为氢化二异丁基铝或氢化二异丁基铝及三异 丁基铝。19.根据申请专利范围第1项之方法,其中 该惰性微粒子物 质系为碳黑或矽石,且该触媒系为 (A)一种藉由下述方式所形成之反应混合物,于溶剂 存在 下,将一种钕化合物,选自包括钕羧酸盐、钕醇钃 及乙醯 基丙酮酸钕,与一种卤化有机铝化合物合并;及 (B)一种助触媒,选自包括(i)氢化二烷基铝、(ii)三 烷基 铝、(iii)氢化二烷基铝与三烷基铝之混合物、(iv) 甲基 铝氧烷、(v)经改质之甲基铝氧烷及(vi)其混合物。 20.根据申请专利范围第19项之方法,其中该反应混 合物 系在正-己烷或环己烷中,经由将钕羧酸盐与氯化 二乙基 铝合并而形成;且该助触媒系为氢化二异丁基铝或 氢化二 异丁基铝与三异丁基铝。21.根据申请专利范围第1 项之方法,其中该聚合触媒之稀 土金属成份,系经喷雾乾燥。22.根据申请专利范围 第1项之方法,其中该聚合触媒系以 预聚合体引进该聚合反应中。23.根据申请专利范 围第1项之方法,其中经引进聚合反应 区带中之聚合触媒,系为液体、溶液或浆液。24.一 种聚丁二烯或聚异戊二烯之粒状粒子,其系根据申 请专利范围第1项之方法所制成。25.一种制造根据 申请专利范围第1项之稀土金属触媒之方 法,其包括: ()在溶剂中,使用含有稀土金属之化合物及有机 烷基铝 或卤化烷基铝化合物,浸渍矽石担体、碳黑担体或 其混合 担体,以形成浆液; ()移除该溶剂而获得乾燥固体; ()于溶剂中,使该乾燥固体与有机烷基铝、卤化 烷基铝 或其混合物接触,以形成浆液; ()移除该溶剂; ()在溶剂中,使用氯化二乙基铝,处理矽石担体、 碳黑 担体或其混合担体,以形成浆液; ()添加一种钕化合物; ()移除(v)之溶剂,而获得乾燥固体; ()于溶剂中,使该乾燥固体与氯化二乙基铝接触, 以形 成浆液;及 ()移除(viii)之溶剂,(v)与(viii)之溶剂可为相同或 不同, 其中该含有稀土金属之化合物系为新癸酸钕或凡 尔赛酸钕 ,该有机烷基铝化合物系为氯化二乙基铝,且该溶 剂系为 正-己烷或环己烷。26.一种触媒系统,其包含: (A)一种藉由下述方式所形成之反应混合物,将钕羧 酸盐 与氯化单-或二-乙基铝反应,于具有3至6个碳原子 之烃存 在下,将该混合物沈积于矽石担体上,而形成浆液, 并移 除该烃;及 (B)一种助触媒,选自包括氢化二异丁基铝、三异丁 基铝 及其混合物, 其中铝助触媒与钕之比例范围为0.5:1至5.0:1。27.一 种触媒系统,其包含: (A)一种藉由下述方式所形成之反应混合物,使用氯 化单- 或二-乙基铝,处理矽石担体,于溶剂存在下,添加钕 羧 酸盐,以形成浆液,及移除该烃;及 (B)一种助触媒,选自包括氢化二异丁基铝、三异丁 基铝 及其混合物, 其中铝助触媒与钕之比例范围为0.5:1至5.0:1。28.一 种触媒系统,其包含: (A)一种藉由下述方式所形成之反应混合物,将钕羧 酸盐 溶解在溶剂中,添加矽石,及移除该溶剂而获得乾 燥固体 ,使该乾燥固体与一种含有氯化单-或二-乙基铝之 溶液接 触,及移除该溶剂;及 (B)一种助触媒,选自包括氢化二异丁基铝、三异丁 基铝 及其混合物, 其中铝助触媒与钕之比例范围为0.5:1至5.0:1。图示 简单说明: 一种特别适合用以制造聚丁二烯与聚异戊二烯之 流体化床 |
