| 发明名称 | 高频电磁场耦合的薄膜多层电极 | ||
| 摘要 | 由各对薄膜导体(21和22、22和23、23和24及24和25)构成多个TEM模式的传输线(L2-L5)，各对薄膜导体通过交替地堆积薄膜导体(21至25)和薄膜介质(31至34)夹住各个薄膜介质(31-34)。使传播通过传输线(L2至L5)的至少二个的TEM模式波的相速度大体上彼此相等。各薄膜导体(21至25)的厚度小于使用频率的趋肤深度，以致使该TEM模式的传输线(L2-L5)中的至少二个TEM模式的传输线的电磁场互相耦合。采用这种方式可有效地增加趋肤深度，与常规电极相比，可显著减少导体损耗和表面电阻。这种电极可构成传输线、谐振器、滤波器和高频器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1137842A | 申请公布日期 | 1996.12.11 |
| 申请号 | CN94193722.4 | 申请日期 | 1994.03.07 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 石川容平;日高青路 |
| 分类号 | H01P3/18;H01P3/06;H01P3/08;H01P3/12;H01P7/08;H01P1/203;H01P1/20 | 主分类号 | H01P3/18 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种高频电磁场耦合型薄膜多层电极，其特征在于：交替地堆积薄膜导体(21-25)和薄膜介质(31-34)以层叠多个TEM模式的传输式(L2-L5)，上述TEM模式的传输线(L2-L5)各包括一对上述的薄膜导体(21和22、22和23、23和24及24和25)，在上述各对薄膜导体之间各插入上述的薄膜介质(31-34)，其中使传播通过上述多个TEM模式的传输线(L2-L5)中的至少二个的TEM波的相速度大体上彼此相等，并使上述薄膜导体(21-25)的各自的一个膜厚度小于所使用的频率的趋肤深度，以致使上述多个TEM模式的传输线(L2-L5)中的至少二个的电磁场互相耦合。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||