发明名称 |
Circuit for measuring the load current of a power semiconductor device with a load on the source or drain side |
摘要 |
Ausgehend von dem bekannten Prinzip des "Sense"-FET wird zwischen dem Meßausgang und einem an Masse liegenden Meßwiderstand (5) ein steuerbarer Widerstand (6) angeschlossen. Sein Widerstandswert wird immer so eingestellt, daß die Drain-Sourcespannungen von Leistungs-FET einander (1)und "Sense"-FET (2) gleich sind. Damit wird erreicht, daß der Meßstrom dem Laststrom unabhängig von der Größe der Last proportional ist. <IMAGE> |
申请公布号 |
EP0747713(A2) |
申请公布日期 |
1996.12.11 |
申请号 |
EP19960108434 |
申请日期 |
1996.05.28 |
申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
TIHANYI, JENOE, DR. ING.;KORONCAI, ADAM-ISTVAN, DIPL.-ING. |
分类号 |
G01R1/20;G01R19/00;G05F1/10;G05F3/24;(IPC1-7):G01R19/00;G01R17/02;G05F3/16 |
主分类号 |
G01R1/20 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|