发明名称 |
超微功耗红外自控电路 |
摘要 |
超微功耗红外自控电路静态功耗小于0.6毫瓦,其电路中仅设置一片CMOS集成电路芯片IC;不用放大整形,采用在单稳触发端预置窄脉冲串的方法使静态时单稳处于临界待触发状态,当与预置脉冲波形、相位均相同的微弱有用信号迭加上去即突破阈值导致触发翻转。IC外围多数晶体管基-射电压在静态和动态都小于0.1伏。光敏管不设偏置。本电路结构简单,功耗低,被控对象功能可靠,电源电压可用普通干电池,使用方便。 |
申请公布号 |
CN1137705A |
申请公布日期 |
1996.12.11 |
申请号 |
CN95111391.7 |
申请日期 |
1995.06.05 |
申请人 |
胡宗翰;程金明 |
发明人 |
胡宗翰 |
分类号 |
H03K17/94;H03K17/78;H01H47/32 |
主分类号 |
H03K17/94 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种由集成电路芯片IC,红外发光二极管D2;红外光敏管D3,多谐振荡器T1、T2,以及IC外围T1-T6等组成的红外自控电路,其特征在于:A.电路中仅设置一片CMOS双单稳集成电路芯片IC,其外围的T1、T2、T4、T5、T65只双极型晶体管的基-射电压UBE无论在静态还是在动态均小于0.1伏,B.利用IC中的一个单稳把T1和T2组成的多谐振荡器产生的宽脉冲串压缩为原来的千分之一后供给T3及其以后的各晶体管,C.在静态时,IC中的另一个单稳的触发端预置了脉冲串,该脉冲串与有用信号波形相同,相位相同,D.红外光敏管D3不设偏置。 |
地址 |
610031四川省成都市金仙桥街33号 |