| 主权项 |
1. 一种电压升压电路,包含: 一输入端,以接收一高位准之外部供应的周期信号 ; 一电源供应端,以提供一电供应电压; 一输出端; 一对整流组件,串联连接于电源供应端与输出端之 间,以 在电源供应端到输出端之顺向方向上作电流传导 之用;以 及 一电容器,具有一对电极组件,其中一电极组件与 整流组 件间之串联互连点相连, 其中供至输入端之周期信号输入电容器之另一电 极组件, 使串联互连点之电压周期性变化,于是输出端上产 生一高 于电源供应电压之电压, 其中该电压升压电路并含: 一信号传输路径,以将输入端输入之周期信号传至 电容器 ;以及 一振幅限制装置,与信号传输路径接合,回应于周 期信号 执行一类比开关动作,并当该周期信号为高位准时 ,在其 高位准之一侧,根据类比开关动作,限制该周期信 号之振 幅。2. 如申请专利范围第1项之电压升压电路,其 中该振幅限 制装置包含: 一位准转换组件,设置在信号传输路径上以在其高 位准之 一侧降低该周期信号之振幅,而提供一位准转换的 信号至 该电容器;以及 一开关组件,与位准转换组件并联连接,当开关组 件导通 时成为一旁路。3. 如申请专利范围第2项之电压升 压电路,其中: 该位准转换组件包含一加强型之n通道MOS场效电晶 体,具 一临限下降效应,以及 该开关组件包含一加强型之p通道MOS场效电晶体。 4. 如申请专利范围第3项之电压升压电路,并含: 从电源供应电压产生一不超过电源供应电压之恒 定电压的 装置,且将此恒定电压提供作为n通道MOS场效电晶 体之闸 极电压,使该位准转换的信号在其高位准之一侧有 一控制 电压;以及 根据电源供应电压之位准度使p通道MOS场效电晶体 导通与 不导通之装置,于是若周期信号为高位准,当电源 供应电 压为高电压时,该信号传输路径回应于电源供应电 压之位 准而在n通道MOS场效电晶体之一侧有一开关位置, 当电源 供应电压为低电压时,则在p通道MOS场效电晶体之 一侧有 一开关位置。5. 一种电压升压电路,包含: 一输入端; 一电源供应端,以提供一电源供应电压; 一输出端; 分别为n通道型二极体式连接的第一与第二MOS场效 电晶体 ,串联连接于电源供应端及端出端之间,作电源供 应端至 输出端之顺向电流传导; 一电容器,具有一对电极组件,其中一电极组件与 第一及 第二MOS场效电晶体间之串联互连点连接; 一n通道加强型之第三MOS场效电晶体,连接于输入 端与电 容器另一电极组件之间而构成其间之电流路径; 一p通道加强型之第四MOS场效电晶体,与第三MOS场 效电 晶体并联连接; 一含有第五MOS场效电晶体之限制器装置,当电源供 应电 压未超过一根据第五MOS场效电晶体临限电压所定 之临界 値时,该限制器装置回应于电源供应电压输出一与 电源供 应电压相同之电压,当电源供应电压超过该临界値 时,则 输出一限制为该临界値之恒定电压,该限制器装置 之输出 点连接第三MOS场效电晶体之闸极;以及 一含有第六MOS场效电晶体之检测器装置,当电源供 应电 压低于一根据该第六MOS场效电晶体之临限电压所 定之临 界値时,该检测器装置回应于电源供应电压输出一 二元控 制信号,为0伏之低位准,当电源供应电压高于该临 界値 时,则输出一等于该电源供应电压之高位准电压, 该检测 器装置之输出点与第四MOS场效电晶体之闸极连接 。图示简单说明: 图1A为传统电压升压电路之电路图; 图1B为图1A电压升压电路之相关信号时序图; 图2为根据本发明实例之电压升压电路之电路图; 图3A为图2电压升压电路一模范电压限制器之电路 图; 图3B为图3A电压限制器之输入输出特性曲线; 图4A为图2之电压升压电路一模范电源供应电压检 测器之 电路图; 图4B为图4A电压检测之输入输出特性曲线; 图5为当电源供应电压为低位准时,示出图2电路之 电压升 压动作之时序图;以及 图6为当电源供应电压为高位准时,示出图2电路之 电压升 |
