| 主权项 |
1. 一种具有二电极之开关元件,该二电极之间有一 半导 电介质,一电极包含与半导电介质形成萧特基接触 之材料 ,在运作期间萧特基接触之一空间电荷区域形成电 子之通 道能障,其特征为介质包含具有残余极化之铁电材 料,而 该残余极化会影响通道能障之一维度。2. 根据申 请专利范围第1项之开关元件,其中介质具有一 小厚度以致可藉由跨于二电极之电压来达到空间 电荷区域 外之一介质区域之铁电材料的开关电场而空间电 荷区域不 致出现崩溃。3. 根据申请专利范围第2项之开关元 件,其中介质之厚度 低于5000埃。4. 根据申请专利范围第1.2或3项之开 关元件,该开关元 件包含几乎平行板型式之电极,其中残余极化之一 最大分 量的方向几乎垂直于该等板。5. 根据申请专利范 围第1.2或3项之开关元件,其中铁电 介质是以外延方式来提供于一金属导电型氧化物 之电极。6. 根据申请专利范围第5项之开关元件, 其中金属导电型 电极系提供于一单晶基质上。7. 根据申请专利范 围第1.2或3项之开关元件,其中介质 包含二或更多铁电材料,而该等铁电材料在不同之 开关电 场会改变他们之残余极化的方向。8. 根据申请专 利范围第7项之开关元件,其中提供一导电 层于不同铁电材料之间以使开关元件包含许多串 联连接之 元件。9. 一种记忆体元件,其特征为记忆体元件包 含一设有二 电极而有一半导电介质夹于其间之开关元件,一电 极包含 与半导体介质形成萧特基接触之材料,在运作期间 萧特基 接触之一空间电荷区域形成电子之通道能障,介质 包含具 有残余极化而其影响通道能障一维度之一铁电材 料。图示简单说明: 图1展示根据本发明之一种开关元件; 图2是根据本发明之一种开关元件的电流-电压特 性曲线; 图3展示根据本发明之一种记忆体元件的写入-读 取循环; 及 图4展示根据本发明之一种开关元件,其中介质包 含具有 |
